中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(13)：5116-5131,后插20,17.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.220032
氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展
Research Progress of GaN Power Device/Module Packaging Technology
摘要
关键词
GaN高电子迁移率晶体管/功率器件/功率模块/封装技术/杂散电感/散热/可靠性Key words
GaN high electron mobility transistor(GaN HEMT)/power devices/power modules/packaging technology/stray inductance/heat dissipation/reliability分类
电子信息工程引用本文复制引用
刘斯奇,梅云辉..氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展[J].中国电机工程学报,2023,43(13):5116-5131,后插20,17.基金项目
国家自然科学基金项目(52177189,51922075) （52177189,51922075）
天津市科技计划项目(21JCJQJC00150).Project Supported by National Natural Science Foundation of China(52177189,51922075) （21JCJQJC00150）
Tianjin Science and Technology Planning Project(21JCJQJC00150). （21JCJQJC00150）
