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近红外二区发光材料在脑成像中的研究进展

薛东芝 王樱蕙 张洪杰

发光学报2023,Vol.44Issue(7):1131-1148,18.
发光学报2023,Vol.44Issue(7):1131-1148,18.DOI:10.37188/CJL.20230122

近红外二区发光材料在脑成像中的研究进展

Design of NIR-Ⅱ Luminescent Materials and Applications in Brain Imaging

薛东芝 1王樱蕙 1张洪杰2

作者信息

  • 1. 中国科学院长春应用化学研究所 稀土资源利用国家重点实验室,吉林 长春 130022||中国科学技术大学 应用化学与工程学院,安徽 合肥 230026
  • 2. 中国科学院长春应用化学研究所 稀土资源利用国家重点实验室,吉林 长春 130022||中国科学技术大学 应用化学与工程学院,安徽 合肥 230026||清华大学 化学系,北京 100084
  • 折叠

摘要

关键词

荧光成像/近红外二区/荧光探针/脑疾病

Key words

fluorescence imaging/NIR-Ⅱ/fluorescence probe/brain diseases

分类

数理科学

引用本文复制引用

薛东芝,王樱蕙,张洪杰..近红外二区发光材料在脑成像中的研究进展[J].发光学报,2023,44(7):1131-1148,18.

基金项目

国家自然科学基金(22020102003,52022094,52272169) (22020102003,52022094,52272169)

吉林省科技发展计划(20210101111JC)Supported by National Natural Science Foundation of China(22020102003,52022094,52272169) (20210101111JC)

The Program of Science and Technology Development Plan of Jilin Province(20210101111JC) (20210101111JC)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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