标准科学Issue(z1)：210-214,5.
4英寸GaN衬底MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料研究分析
Study of High-quality AlGaN/GaN HEMT Homo-epitaxial Material on 4-inch GaN Substrate by MOCVD
高楠 1房玉龙 1王波 1张志荣 1尹甲运 1芦伟立 1陈宏泰 1牛晨亮1
作者信息
摘要
关键词
GaN衬底/AlGaN/GaN HEMTKey words
GaN substrate/AlGaN/GaN HEMT引用本文复制引用
高楠,房玉龙,王波,张志荣,尹甲运,芦伟立,陈宏泰,牛晨亮..4英寸GaN衬底MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料研究分析[J].标准科学,2023,(z1):210-214,5.
