现代应用物理2023，Vol.14Issue(2)：124-130,7.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2023.020501
集成电路HPM损伤机理分析
Analysis of High Power Microwave Damage Mechanism in Integrated Circuits
摘要
关键词
高功率微波/损伤机理/沿面击穿/失效分析/击穿模型/脉冲宽度效应Key words
high power microwave/damage mechanism/surface breakdown/failure analysis/breakdown model/pulse width effect分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
章勇华,黄文华,李平,杨志强,任伟涛,朱占平..集成电路HPM损伤机理分析[J].现代应用物理,2023,14(2):124-130,7.基金项目
高功率微波技术重点实验室基金资助项目(HPM1607) （HPM1607）
