现代应用物理2023，Vol.14Issue(2)：182-186,5.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2023.020605
脉冲窄化型抗辐射静态存储器单元加固结构
A Radiation Hardened SRAM Cell Layout With Pulse Quenching
摘要
关键词
辐射效应/单粒子电荷共享效应/辐射加固/静态存储器单元Key words
radiation effect/single event charge sharing/radiation hardened/SRAM cell分类
能源科技引用本文复制引用
周昕杰,殷亚楠,郭刚,陈启明..脉冲窄化型抗辐射静态存储器单元加固结构[J].现代应用物理,2023,14(2):182-186,5.基金项目
抗辐射应用技术创新中心基金资助项目(KFZC2019040305) （KFZC2019040305）
