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基于绝缘体上硅的颅内压力传感器的设计与制作

钟长志 王凌云 卜振翔 刘路江 谷丹丹

厦门大学学报(自然科学版)2023,Vol.62Issue(4):517-524,8.
厦门大学学报(自然科学版)2023,Vol.62Issue(4):517-524,8.DOI:10.6043/j.issn.0438-0479.202205009

基于绝缘体上硅的颅内压力传感器的设计与制作

Design and fabrication of intracranial pressure sensor based on SOI

钟长志 1王凌云 1卜振翔 1刘路江 1谷丹丹2

作者信息

  • 1. 厦门大学航空航天学院,福建 厦门 361102
  • 2. 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院,福建 厦门 361102
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摘要

关键词

压力传感器/颅内压(ICP)/微机电系统(MEMS)/压阻效应/柔性印刷电路板(FPC)

分类

农业科技

引用本文复制引用

钟长志,王凌云,卜振翔,刘路江,谷丹丹..基于绝缘体上硅的颅内压力传感器的设计与制作[J].厦门大学学报(自然科学版),2023,62(4):517-524,8.

基金项目

航空科学基金(201946068005) (201946068005)

厦门大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

0438-0479

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