液晶与显示2023，Vol.38Issue(8)：1054-1061,8.DOI:10.37188/CJLCD.2023-0105
TFT栅极刻蚀负载效应及解决方案
Loading effect and solutions in gate etching process for TFT
摘要
关键词
栅极/湿法刻蚀/负载效应/聚类分析/神经网络Key words
gate electrodes/wet etch/loading effect/cluster analysis/neural networks分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘丹,林鸿涛,黄中浩,黄晟,方亮,陈启超,管飞,吴良东,吴旭,李砚秋..TFT栅极刻蚀负载效应及解决方案[J].液晶与显示,2023,38(8):1054-1061,8.基金项目
重庆市自然科学基金(No.cstc2019jcyj-msxmX0566) （No.cstc2019jcyj-msxmX0566）
重庆京东方光电科技有限公司科技攻关项目(No.212927) （No.212927）
重庆大学大型仪器开放基金(No.202203150041)Supported by Natural Science Foundation of Chongqing(No.cstc2019jcyj-msxmX0566) （No.202203150041）
Scientific and Tech-nological Project of Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co.,Ltd.(No.212927) （No.212927）
Sharing Fund of Large Scale Equipment of Chongqing University(No.202203150041) （No.202203150041）
