中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(14)：5607-5618,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.220012
回跳现象对RC-IGBT器件功率循环测试的影响
The Influence of the Snap-back Phenomenon on Power Cycling Test of the RC-IGBTs
谢露红 1赵雨山 1邓二平 1张莹 1王哨 2黄永章1
作者信息
- 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区 102206
- 2. 国网浙江省电力有限公司龙港市供电公司,浙江省 龙港市 325802
- 折叠
摘要
关键词
逆导型绝缘栅双极型晶体管/回跳现象/结温测量/并联分流/功率循环测试Key words
reverse conducting insulated gate bipolar transistor(RC-IGBT)/snap-back phenomenon/junction temperature measurement/current distribution in parallel/power cycling test分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
谢露红,赵雨山,邓二平,张莹,王哨,黄永章..回跳现象对RC-IGBT器件功率循环测试的影响[J].中国电机工程学报,2023,43(14):5607-5618,12.
