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高功率GaN微波器件大信号缩放模型

成爱强 王帅 徐祖银 贺瑾 张天成 包华广 丁大志

物理学报2023，Vol.72Issue(14)：P.208-215,8.
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物理学报2023，Vol.72Issue(14)：P.208-215,8.DOI:10.7498/aps.72.20230440

高功率GaN微波器件大信号缩放模型

成爱强 1王帅 1徐祖银 1贺瑾 1张天成 2包华广 2丁大志2

作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所,微波功率器件事业部,南京210016
  • 2. 南京理工大学微电子学院,南京210094
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/GaN HEMTs/高电子迁移率晶体管/大信号缩放模型/高功率放大器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

成爱强,王帅,徐祖银,贺瑾,张天成,包华广,丁大志..高功率GaN微波器件大信号缩放模型[J].物理学报,2023,72(14):P.208-215,8.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2022YFF0707800,2022YFF0707801) （批准号:2022YFF0707800,2022YFF0707801）

江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(批准号:BE2022070,BE2022070-2,BE2022070-1) （批准号:BE2022070,BE2022070-2,BE2022070-1）

国家自然科学基金(批准号:62201257)资助的课题。 （批准号:62201257）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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