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基于青藏高原的14 nm FinFET和28 nm平面CMOS工艺SRAM单粒子效应实时测量试验

张战刚 杨少华 林倩 雷志锋 彭超 何玉娟

物理学报2023，Vol.72Issue(14)：P.161-171,11.
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物理学报2023，Vol.72Issue(14)：P.161-171,11.DOI:10.7498/aps.72.20230161

基于青藏高原的14 nm FinFET和28 nm平面CMOS工艺SRAM单粒子效应实时测量试验

张战刚 1杨少华 1林倩 2雷志锋 1彭超 1何玉娟1

作者信息

  • 1. 工业和信息化部电子第五研究所,广州511370 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州511370
  • 2. 工业和信息化部电子第五研究所,广州511370
  • 折叠

摘要

关键词

FinFET/中子/单粒子翻转/软错误

分类

天文与地球科学

引用本文复制引用

张战刚,杨少华,林倩,雷志锋,彭超,何玉娟..基于青藏高原的14 nm FinFET和28 nm平面CMOS工艺SRAM单粒子效应实时测量试验[J].物理学报,2023,72(14):P.161-171,11.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:12175045,12075065) （批准号:12175045,12075065）

广东省重点领域研发计划(批准号:2022B0701180002)资助的课题。 （批准号:2022B0701180002）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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