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碳化硅MOSFET换流回路杂散电感提取方法的优化

谢宗奎 柯俊吉 赵志斌 黄华震 崔翔

电工技术学报2018,Vol.33Issue(21):P.4919-4927,9.
电工技术学报2018,Vol.33Issue(21):P.4919-4927,9.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.180761

碳化硅MOSFET换流回路杂散电感提取方法的优化

谢宗奎 1柯俊吉 1赵志斌 1黄华震 1崔翔1

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京102206
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摘要

关键词

碳化硅/MOSFET/换流回路/杂散电感/开关振荡频率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谢宗奎,柯俊吉,赵志斌,黄华震,崔翔..碳化硅MOSFET换流回路杂散电感提取方法的优化[J].电工技术学报,2018,33(21):P.4919-4927,9.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400503) (2016YFB0400503)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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