人工晶体学报Issue(S1)：P.44-47,4.
基片温度对电子束蒸发沉积碳化硼薄膜性能的影响
范强 1廖志君 1杨水长 1刘振良 1伍登学 1卢铁城2
作者信息
- 1. 四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064
- 2. 四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064 中国科学院国际材料物理中心,沈阳110015
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摘要
关键词
碳化硼薄膜/电子束蒸发/基片温度/粗糙度分类
数理科学引用本文复制引用
范强,廖志君,杨水长,刘振良,伍登学,卢铁城..基片温度对电子束蒸发沉积碳化硼薄膜性能的影响[J].人工晶体学报,2009,(S1):P.44-47,4.基金项目
国家863计划课题项目(No.2007AA804406) （No.2007AA804406）
