人工晶体学报Issue(S1)：P.234-241,8.
宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展
彭同华 1刘春俊 2王波 2王锡铭 1郭钰 2赵宁 1李龙远 1刘宇 3黄青松 3贾玉萍 3王刚 3郭丽伟 3陈小龙2
作者信息
- 1. 北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京100190
- 2. 北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京100190 中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心,北京100190
- 3. 中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心,北京100190
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摘要
关键词
SiC晶体/单晶生长/晶片加工/磁性/石墨烯分类
数理科学引用本文复制引用
彭同华,刘春俊,王波,王锡铭,郭钰,赵宁,李龙远,刘宇,黄青松,贾玉萍,王刚,郭丽伟,陈小龙..宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展[J].人工晶体学报,2012,(S1):P.234-241,8.
