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单晶Si_3N_4纳米带可控Al掺杂研究

高凤梅 尉国栋 王华涛 谢志鹏 张立功 范翊 罗劲松 安立楠 杨为佑

人工晶体学报Issue(S1):P.181-185,5.
人工晶体学报Issue(S1):P.181-185,5.

单晶Si_3N_4纳米带可控Al掺杂研究

高凤梅 1尉国栋 1王华涛 2谢志鹏 2张立功 3范翊 3罗劲松 3安立楠 4杨为佑1

作者信息

  • 1. 宁波工程学院材料所,宁波315016
  • 2. 清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100081
  • 3. 中国科学院激发态物理重点实验室,长春130033
  • 4. Advanced Materials Processing and Analysis Center,University of Central Florida,orlandousa32826
  • 折叠

摘要

关键词

有机前驱体/热解/氮化硅/纳米带/掺杂

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

高凤梅,尉国栋,王华涛,谢志鹏,张立功,范翊,罗劲松,安立楠,杨为佑..单晶Si_3N_4纳米带可控Al掺杂研究[J].人工晶体学报,2009,(S1):P.181-185,5.

基金项目

国家自然科学基金(No.50872058) (No.50872058)

宁波市国际合作项目(No.2008B10044) (No.2008B10044)

宁波市自然科学基金(No.2009A610035) (No.2009A610035)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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