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异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究

周守利 李伽 任宏亮 温浩 彭银生

物理学报Issue(17):P.517-520,4.
物理学报Issue(17):P.517-520,4.

异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究

周守利 1李伽 1任宏亮 1温浩 1彭银生1

作者信息

  • 1. 浙江工业大学信息学院,杭州310023
  • 折叠

摘要

关键词

InP/InGaAs异质结双极晶体管/界面电荷/内建势/热场发射

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

周守利,李伽,任宏亮,温浩,彭银生..异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究[J].物理学报,2013,(17):P.517-520,4.

基金项目

浙江省自然科学基金(批准号:LY12F04003) (批准号:LY12F04003)

信息功能材料国家重点实验室2009开放基金(批准号:FMI2009-08)资助的课题~~ (批准号:FMI2009-08)

物理学报

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1000-3290

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