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真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响

王溪 周松敏 孙常鸿 魏彦峰 沈灏 林春

红外与毫米波学报2018，Vol.37Issue(4)：P.399-402,4.
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红外与毫米波学报2018，Vol.37Issue(4)：P.399-402,4.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2018.04.004

真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响

王溪 1周松敏 2孙常鸿 2魏彦峰 2沈灏 2林春2

作者信息

  • 1. 中国科学院大学,北京100039 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
  • 折叠

摘要

关键词

Au掺杂HgCdTe/电子束蒸发CdTe/退火/载流子浓度/Au分布

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王溪,周松敏,孙常鸿,魏彦峰,沈灏,林春..真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响[J].红外与毫米波学报,2018,37(4):P.399-402,4.

基金项目

国家自然科学基金(61705247)~~ （61705247）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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