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4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究

陈壮梁 罗小蓉 邓小川 周春华 黄何

实验科学与技术2006，Vol.4Issue(B12)：P.43-45,3.
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实验科学与技术2006，Vol.4Issue(B12)：P.43-45,3.

4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究

陈壮梁 1罗小蓉 1邓小川 1周春华 1黄何1

作者信息

  • 1. 电子科技大学,成都610054
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摘要

关键词

4H—SiC/MESFET/表面陷阱/直流特性/瞬态特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈壮梁,罗小蓉,邓小川,周春华,黄何..4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究[J].实验科学与技术,2006,4(B12):P.43-45,3.

基金项目

国家预研基金资助项目 （）

实验科学与技术

1672-4550

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