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脉冲MOS电容器中具有场增强特征载流子产生的一种物理解释

张秀淼

厦门大学学报：自然科学版Issue(S2)：P.105-106,2.
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厦门大学学报：自然科学版Issue(S2)：P.105-106,2.

脉冲MOS电容器中具有场增强特征载流子产生的一种物理解释

张秀淼1

作者信息

  • 1. 杭州大学电子工程系,杭州310028
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摘要

关键词

MOS电容/陷阱中心/场增强产生

分类

自科综合

引用本文复制引用

张秀淼..脉冲MOS电容器中具有场增强特征载流子产生的一种物理解释[J].厦门大学学报：自然科学版,1993,(S2):P.105-106,2.

基金项目

国家自然科学基金 （）

厦门大学学报：自然科学版

OA北大核心CSCD

0438-0479

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