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绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料

刘庆彬 蔚翠 何泽召 王晶晶 周闯杰 郭建超 冯志红

化工学报Issue(S1):P.276-281,6.
化工学报Issue(S1):P.276-281,6.

绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料

刘庆彬 1蔚翠 1何泽召 1王晶晶 1周闯杰 1郭建超 1冯志红1

作者信息

  • 1. 河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室,河北石家庄050051
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摘要

关键词

石墨烯/绝缘衬底/化学气相沉积/表面/形态学/电学特性

分类

化学化工

引用本文复制引用

刘庆彬,蔚翠,何泽召,王晶晶,周闯杰,郭建超,冯志红..绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料[J].化工学报,2017,(S1):P.276-281,6.

基金项目

国家自然科学基金项目(61306006 ()

61674131)~~ ()

化工学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0438-1157

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