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基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法研究

陈一凡 王景霖 崔江 王友仁

机械制造与自动化2023,Vol.52Issue(4):193-195,201,4.
机械制造与自动化2023,Vol.52Issue(4):193-195,201,4.DOI:10.19344/j.cnki.issn1671-5276.2023.04.048

基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法研究

Research on Gate-oxide Degradation Monitoring Method of SiC MOSFET Based on BP Neural Network

陈一凡 1王景霖 2崔江 1王友仁1

作者信息

  • 1. 南京航空航天大学 自动化学院,江苏 南京 211106
  • 2. 航空工业上海航空测控技术研究所,上海 201601||故障诊断与健康管理技术航空科技重点实验室,上海 201601
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅MOSFET/栅极老化/阈值电压/BP神经网络

Key words

SiC MOSFET/gate oxide degradation/threshold voltage/BP neural network

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈一凡,王景霖,崔江,王友仁..基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法研究[J].机械制造与自动化,2023,52(4):193-195,201,4.

基金项目

航空科学基金项目(201933052001) (201933052001)

中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NS2021021) (NS2021021)

机械制造与自动化

OACSTPCD

1671-5276

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