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考虑阈值迟滞的碳化硅MOSFET开关暂态解析模型

徐子珂蔡雨萌孙鹏赵志斌王威

高电压技术2023，Vol.49Issue(7)：3051-3061,11.

高电压技术2023，Vol.49Issue(7)：3051-3061,11.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20220985

考虑阈值迟滞的碳化硅MOSFET开关暂态解析模型

Analytical Switching Transient Model for Silicon Carbide MOSFET Considering Threshold Voltage Hysteresis

徐子珂 ¹蔡雨萌 ¹孙鹏 ¹赵志斌 ¹王威²

作者信息

1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京102206
2. 国网上海市电力公司,上海200122
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摘要

关键词

碳化硅MOSFET/驱动电压/非理想突变/阈值迟滞/开关特性/解析模型

Key words

silicon carbide MOSFET/driving voltage/non-ideal mutation/threshold voltage hysteresis/switching char-acteristics/analytical model

引用本文复制引用

徐子珂,蔡雨萌,孙鹏,赵志斌,王威..考虑阈值迟滞的碳化硅MOSFET开关暂态解析模型[J].高电压技术,2023,49(7):3051-3061,11.

基金项目

国家电网有限公司总部科技项目(5209502000D5).Project supported by Science and Technology Project of the Headquarters of State Grid Corporation(5209502000D5). （5209502000D5）

高电压技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1003-6520

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