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基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

迟元晓 王志君 梁利平 刘丰满 邱昕

湖南大学学报(自然科学版)2023,Vol.50Issue(8):134-140,7.
湖南大学学报(自然科学版)2023,Vol.50Issue(8):134-140,7.DOI:10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2023278

基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

A Hierarchy Physical Design Technique for TSV-based 3D Integrated Circuits

迟元晓 1王志君 2梁利平 2刘丰满 3邱昕3

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京100029||中国科学院大学集成电路学院,北京101408
  • 2. 北京邮电大学集成电路学院,北京100876
  • 3. 中国科学院微电子研究所,北京100029
  • 折叠

摘要

关键词

硅通孔/三维集成电路/大尺寸芯片/版图设计

Key words

through silicon via/three-dimensional integrated circuits/large-size chip/integrated circuit layout

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

迟元晓,王志君,梁利平,刘丰满,邱昕..基于TSV的3D IC层次化物理实现技术[J].湖南大学学报(自然科学版),2023,50(8):134-140,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(U21A20504),National Natural Science Foundation of China(U21A20504) (U21A20504)

湖南大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-2974

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