首页|期刊导航|红外与毫米波学报|有源区Be掺杂对1.3 μm InAs量子点激光器性能的影响

有源区Be掺杂对1.3 μm InAs量子点激光器性能的影响

杜安天曹春芳韩实现王海龙龚谦

红外与毫米波学报2023，Vol.42Issue(4)：450-456,7.

红外与毫米波学报2023，Vol.42Issue(4)：450-456,7.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2023.04.004

Effect of Be doping in active regions on the performance of 1.3 μm InAs quantum dot lasers

杜安天 ¹曹春芳 ²韩实现 ³王海龙 ⁴龚谦³

作者信息

1. 曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东曲阜 273165||中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室,上海200050
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室,上海200050
3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室,上海200050||中国科学院大学材料科学与光电子工程中心,北京100049
4. 曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东曲阜 273165
折叠

量子点激光器/分子束外延/阈值电流密度/输出功率/特征温度

quantum-dot laser/molecular beam epitaxy/threshold current density/output power/characteristic temperature

数理科学

杜安天,曹春芳,韩实现,王海龙,龚谦..有源区Be掺杂对1.3 μm InAs量子点激光器性能的影响[J].红外与毫米波学报,2023,42(4):450-456,7.

国家自然科学基金(61674096)Supported by National Natural Science Foundation of China(61674096) （61674096）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-9014

访问量0

下载量0

段落导航