电瓷避雷器Issue(4)：46-50,5.DOI:10.16188/j.isa.1003-8337.2023.04.006
镓离子掺杂量对ZnO压敏电阻性能的影响
Effect of Ga3+Doping Content on the Properties of ZnO-Based Varistors
摘要
关键词
ZnO压敏电阻/镓离子/电性能Key words
ZnO varistor/Ga3+/electrical properties引用本文复制引用
江海波,任鑫,劳学斌,钟美莲,孔安廷,姚政,施利毅..镓离子掺杂量对ZnO压敏电阻性能的影响[J].电瓷避雷器,2023,(4):46-50,5.基金项目
上海市自然科学基金(编号:17ZR1410300).Project supported by Shanghai Municipal Natural Science Foundation(编号:17ZR1410300). （编号:17ZR1410300）
