电瓷避雷器Issue(4)：58-63,6.DOI:10.16188/j.isa.1003-8337.2023.04.008
In2O3掺杂对低压ZnO压敏电阻显微结构及电气性能的影响
Effect of In2O3 Doping on Microstructure and Electrical Properties of Low Voltage ZnO Varistors
摘要
关键词
低压ZnO压敏电阻/In2O3掺杂/残压比/正反极性Key words
low voltage ZnO varistor/In2O3 doping/residual ratio/positive and negative polarity引用本文复制引用
劳学斌,任鑫,孔安廷,江海波,钟美莲,姚政,施利毅..In2O3掺杂对低压ZnO压敏电阻显微结构及电气性能的影响[J].电瓷避雷器,2023,(4):58-63,6.基金项目
上海市自然科学基金(编号:17ZR1410300).Project supported by Shanghai Municipal Natural Science Foundation(编号:17ZR1410300). （编号:17ZR1410300）
