电工技术学报2023，Vol.38Issue(16)：4286-4300,15.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.221116
基于变电阻驱动的SiC器件开关轨迹协同调控
Coordinated Switching Trajectory Regulation of SiC Device Using Variable Resistance Gate Driver
摘要
关键词
SiC MOSFET器件/主动栅极驱动/四阶段变电阻/开关轨迹调控/多目标协同Key words
SiC MOSFET device/active gate driver/four-phase varied gate resistance/switching trajectory regulation/multi-objective coordination分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
邹铭锐,曾正,孙鹏,王亮,王宇雷..基于变电阻驱动的SiC器件开关轨迹协同调控[J].电工技术学报,2023,38(16):4286-4300,15.基金项目
国家自然科学基金项目(52177169)、重庆市基础研究与前沿探索项目(cstc2021zdyjA0035)和重庆市研究生科研创新项目(CYS22023)资助. （52177169）
