|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电子学报|栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响

栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响

季启政 刘峻 杨铭 马贵蕾 胡小锋 刘尚合

电子学报2023，Vol.51Issue(6)：1486-1492,7.
✕
电子学报2023，Vol.51Issue(6)：1486-1492,7.DOI:10.12263/DZXB.20230004

栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响

Gate Width Influence on Subthreshold Swing of AlGaN/GaN HEMTs

季启政 1刘峻 2杨铭 3马贵蕾 4胡小锋 4刘尚合4

作者信息

  • 1. 陆军工程大学石家庄校区电磁环境效应重点实验室,河北石家庄 050003||北京卫星环境工程研究所,北京 100094
  • 2. 南京信息工程大学电子与信息工程学院,江苏南京 210044
  • 3. 北京东方计量测试研究所,北京 100094
  • 4. 陆军工程大学石家庄校区电磁环境效应重点实验室,河北石家庄 050003
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管/亚阈值摆幅/极化/散射

Key words

AlGaN/GaN high electron mobility transistors/subthreshold swing/polarization/scattering

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

季启政,刘峻,杨铭,马贵蕾,胡小锋,刘尚合..栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响[J].电子学报,2023,51(6):1486-1492,7.

基金项目

国家自然科学基金(No.61904007)National Natural Science Foundation of China(No.61904007) （No.61904007）

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文