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新型二维SiO2结构及面内应变对其光电性质影响的第一性原理研究

刘雪婷刘禹成赵子昂王丹丹张勇冯明

发光学报2023，Vol.44Issue(8)：1496-1504,9.

发光学报2023，Vol.44Issue(8)：1496-1504,9.DOI:10.37188/CJL.20230072

新型二维SiO2结构及面内应变对其光电性质影响的第一性原理研究

A Novel Two-dimensional SiO2 Structure and Influence of In-plane Strain on Its Photoelectric Properties:First-principles Study

刘雪婷 ¹刘禹成 ²赵子昂 ²王丹丹 ¹张勇 ¹冯明¹

作者信息

1. 吉林师范大学物理学院,吉林四平 136000||吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室,吉林长春 130022
2. 吉林师范大学物理学院,吉林四平 136000
折叠

摘要

关键词

二维SiO2/电子性质/光学性质/第一性原理计算

Key words

two-dimensional SiO2/electronic properties/optical properties/first-principles calculations

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘雪婷,刘禹成,赵子昂,王丹丹,张勇,冯明..新型二维SiO2结构及面内应变对其光电性质影响的第一性原理研究[J].发光学报,2023,44(8):1496-1504,9.

基金项目

吉林省自然科学基金(YDZJ202201ZYTS307,20210101409JC)Supported by Natural Science Foundation of Jilin Province Program(YDZJ202201ZYTS307,20210101409JC) （YDZJ202201ZYTS307,20210101409JC）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-7032

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