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锗硅非对称耦合量子阱相位调制器特性的研究

石浩天江佩璘张意黄强孙军强

激光技术2023，Vol.47Issue(5)：587-591,5.

激光技术2023，Vol.47Issue(5)：587-591,5.DOI:10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2023.05.002

Asymmetric Ge/SiGe coupled quantum well phase modulators

石浩天 ¹江佩璘 ¹张意 ¹黄强 ¹孙军强¹

作者信息

集成光学/锗硅调制器/非对称耦合量子阱/相位调制

integrated optics/Ge/SiGe modulator/asymmetric coupled quantum well/phase modulation

电子信息工程

石浩天,江佩璘,张意,黄强,孙军强..锗硅非对称耦合量子阱相位调制器特性的研究[J].激光技术,2023,47(5):587-591,5.

湖北省重点研发计划资助项目(2021BAA002) （2021BAA002）

OACSTPCD

ISSN：1001-3806

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