人工晶体学报2023，Vol.52Issue(8)：1373-1377,5.
Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究
Optical and Electrical Properties of Ni-Doped β-Ga2O3 Single Crystal
摘要
关键词
氧化镓/宽禁带半导体/光电性能/宽带近红外发光/导模法/Ni掺杂Key words
Ga2O3/wide-bandgap semiconductor/optical and electrical property/broadband near-infrared luminescent/EFG method/Ni doping分类
数理科学引用本文复制引用
陈绍华,穆文祥,张晋,董旭阳,李阳,贾志泰,陶绪堂..Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究[J].人工晶体学报,2023,52(8):1373-1377,5.基金项目
国家自然科学基金(52002219,51932004,61975098) （52002219,51932004,61975098）
广东省重点领域研发计划(2020B010174002) （2020B010174002）
深圳市基础研究计划(JCYJ20210324132014038) （JCYJ20210324132014038）
111工程2.0(BP2018013) （BP2018013）
