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组分阶梯InGaN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响

侯俨育董海亮贾志刚贾伟梁建许并社

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(8)：1386-1393,8.

组分阶梯InGaN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响

Effect of Composition Step-Graded InGaN Barriers on Photoelectric Performance of Green Laser Diode

侯俨育 ¹董海亮 ²贾志刚 ²贾伟 ²梁建 ³许并社⁴

作者信息

1. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024
2. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024||山西浙大新材料与化工研究院,太原 030000
3. 太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024
4. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024||山西浙大新材料与化工研究院,太原 030000||陕西科技大学材料原子·分子科学研究所,西安 710021
折叠

摘要

关键词

绿光激光二极管/光电性能/In组分/组分阶梯InGaN势垒/斜率效率/电光转换效率

Key words

green laser diode/photoelectric performance/In composition/composition step-graded InGaN barrier/slope efficiency/electro-optical conversion efficiency

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

侯俨育,董海亮,贾志刚,贾伟,梁建,许并社..组分阶梯InGaN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响[J].人工晶体学报,2023,52(8):1386-1393,8.

基金项目

国家自然科学基金(61904120,21972103) （61904120,21972103）

山西浙大新材料与化工研究院(2022SX-TD018,2021SX-AT001、002、003) （2022SX-TD018,2021SX-AT001、002、003）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-985X

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