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铒掺杂氮氧化硅薄膜中不同敏化中心对铒离子光致和电致发光的影响

范宇轩 杨德仁 李东升

材料科学与工程学报2023,Vol.41Issue(4):527-531,5.
材料科学与工程学报2023,Vol.41Issue(4):527-531,5.DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2023.04.001

铒掺杂氮氧化硅薄膜中不同敏化中心对铒离子光致和电致发光的影响

Effect of Two Different Sensitizers on the Photoluminescence and Electroluminescence of Er∶SiNxOy Films

范宇轩 1杨德仁 1李东升1

作者信息

  • 1. 浙江大学 材料科学与工程学院/硅材料国家重点实验室,浙江 杭州 310027
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摘要

关键词

掺铒氮氧化硅/硅纳米团簇/硅悬挂键/能量传递

Key words

Er-doped silicon oxynitride/silicon nanocluster/Si dangling bond/Energy transfer

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

范宇轩,杨德仁,李东升..铒掺杂氮氧化硅薄膜中不同敏化中心对铒离子光致和电致发光的影响[J].材料科学与工程学报,2023,41(4):527-531,5.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200102) (2018YFB2200102)

国家自然基金资助项目(61874095,61721005) (61874095,61721005)

材料科学与工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1673-2812

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