Sn-Al共掺对非晶ZnO忆阻器的改性

李思嵚吕建国陆波静杨汝琪陆杨丹王凤志叶志镇

材料科学与工程学报2023，Vol.41Issue(4)：532-539,552,9.

材料科学与工程学报2023，Vol.41Issue(4)：532-539,552,9.DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2023.04.002

Modification of Amorphous ZnO Memristor by Sn-Al Co-doping

李思嵚 ¹吕建国 ¹陆波静 ¹杨汝琪 ¹陆杨丹 ¹王凤志 ¹叶志镇¹

作者信息

ZnO/ZnAlSnO/忆阻器/掺杂/稳定性

ZnO/ZnAlSnO/Memristor/Doping/Stability

通用工业技术

李思嵚,吕建国,陆波静,杨汝琪,陆杨丹,王凤志,叶志镇..Sn-Al共掺对非晶ZnO忆阻器的改性[J].材料科学与工程学报,2023,41(4):532-539,552,9.

浙江省重点研发计划资助项目(2021C01030) （2021C01030）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1673-2812

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