空间电子技术2023，Vol.20Issue(4)：45-49,5.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2023.04.007
一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计
A total dose radiation hardened design of high voltage direct sampling ADC
曹梦琦 1王晓晖 2高炜祺1
作者信息
- 1. 重庆吉芯科技有限公司,重庆 400060
- 2. 西安电子科技大学,西安 710071
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摘要
关键词
高压直采ADC/MOS管阈值电压/二极管死区漏电/总剂量Key words
high voltage direct sampling ADC/threshold voltage of MOS transistor/dead zone leakage current of diode/total dose radiation分类
电子信息工程引用本文复制引用
曹梦琦,王晓晖,高炜祺..一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计[J].空间电子技术,2023,20(4):45-49,5.
