现代电子技术2023，Vol.46Issue(18)：P.47-52,6.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2023.18.009
18 kV 4H-SiC ESC-IGBT结构设计与特性研究
张莉 1陈致宇1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第二十九研究所、四川省高效电源变换技术工程研究中心,四川成都610036
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摘要
关键词
ESC-IGBT/SiC IGBT/空穴抽取路径/肖特基接触工艺/栅氧可靠性/关断损耗分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张莉,陈致宇..18 kV 4H-SiC ESC-IGBT结构设计与特性研究[J].现代电子技术,2023,46(18):P.47-52,6.
