WO_(3)/β-Ga_(2)O_(3)异质结深紫外光电探测器的高温性能OACSCDCSTPCD
得益于高达4.8 eV的禁带宽度,超宽禁带半导体氧化镓(Ga_(2)O_(3))在深紫外探测领域具有天然的优势.考虑到光电探测器在高温领域具有十分重要的用途,本文研究了一种WO_(3)/β-Ga_(2)O_(3)异质结深紫外光电探测器以及高温对其探测性能的影响.利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备了Ga_(2)O_(3)薄膜,并采用旋涂和磁控溅射技术分别制备了WO_(3)薄膜和Ti/Au欧姆电极.在室温(300 K)下,该探测器的光暗电…查看全部>>
张茂林;马万煜;王磊;刘增;杨莉莉;李山;唐为华;郭宇锋
南京邮电大学集成电路科学与工程学院,氧化镓半导体创新中心,射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京210023南京邮电大学集成电路科学与工程学院,氧化镓半导体创新中心,射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京210023南京邮电大学集成电路科学与工程学院,氧化镓半导体创新中心,射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京210023南京邮电大学集成电路科学与工程学院,氧化镓半导体创新中心,射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京210023南京邮电大学集成电路科学与工程学院,氧化镓半导体创新中心,射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京210023南京邮电大学集成电路科学与工程学院,氧化镓半导体创新中心,射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京210023南京邮电大学集成电路科学与工程学院,氧化镓半导体创新中心,射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京210023南京邮电大学集成电路科学与工程学院,氧化镓半导体创新中心,射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京210023
电子信息工程
β-Ga_(2)O_(3)WO_(3)深紫外探测高温
《物理学报》 2023 (16)
P.1-9,9
评论