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基于MOSFET的直流电子辅助断路器设计及开断性能优化方法研究

陈思磊刘家欣薛中正贺国涛

高压电器2023，Vol.59Issue(9)：234-241,249,9.

高压电器2023，Vol.59Issue(9)：234-241,249,9.DOI:10.13296/j.1001-1609.hva.2023.09.028

Design of MOSFET-based DC Electronic Auxiliary Circuit Breaker and Its Optimization Method of Breaking Performance

陈思磊 ¹刘家欣 ²薛中正 ²贺国涛¹

作者信息

混合直流断路器/直流短路故障/拓扑结构/RC缓冲电路

hybrid DC circuit breaker/DC short-circuit fault/Topological structure/RC snubber circuit

陈思磊,刘家欣,薛中正,贺国涛..基于MOSFET的直流电子辅助断路器设计及开断性能优化方法研究[J].高压电器,2023,59(9):234-241,249,9.

陕西省自然科学基础研究计划(2021JQ-476). Project Supported by Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province of China(2021JQ-476). （2021JQ-476）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-1609

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