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TiN、Ti插入层对ITO与GaN欧姆接触性能影响的研究

孟文利张育民孙远航王建峰徐科

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(9)：1609-1616,8.

Influence of TiN and Ti Insertion Layer on Ohmic Contact Performance Between ITO and GaN

孟文利 ¹张育民 ²孙远航 ³王建峰 ²徐科⁴

作者信息

1. 中国科学技术大学国家示范性微电子学院,合肥 230026||中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123||苏州纳维科技股份有限公司,苏州 215123||江苏第三代半导体研究院,苏州 215000
3. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
4. 中国科学技术大学国家示范性微电子学院,合肥 230026||中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123||苏州纳维科技股份有限公司,苏州 215123||江苏第三代半导体研究院,苏州 215000
折叠

GaN光导开关/ITO/Ti/TiN/欧姆接触

GaN photoconductive semiconductor switch/ITO/Ti/TiN/Ohmic contact

数理科学

孟文利,张育民,孙远航,王建峰,徐科..TiN、Ti插入层对ITO与GaN欧姆接触性能影响的研究[J].人工晶体学报,2023,52(9):1609-1616,8.

国家自然科学基金(12274360) （12274360）

国家重点研发计划(2022YFB3605402,2022YFB3604301,2022YFB3605200) （2022YFB3605402,2022YFB3604301,2022YFB3605200）

苏州市重点产业技术创新项目(SGC2021081) （SGC2021081）

江苏省重点研发计划(BE2020004,BE2021008) （BE2020004,BE2021008）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-985X

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