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横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中流场与氧浓度的影响机制

王黎光罗学涛芮阳盛旺马吟霜马成陈炜南邹啟鹏杜朋轩黄柳青

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(9)：1641-1650,10.

横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中流场与氧浓度的影响机制

Influence Mechanism of Crucible Rotation Rates on the Flow Field and Oxygen Concentration of the Semiconductor-Grade Czochralski Monocrystalline Silicon Melt under Transverse Magnetic Field

王黎光 ¹罗学涛 ²芮阳 ¹盛旺 ³马吟霜 ¹马成 ¹陈炜南 ³邹啟鹏 ³杜朋轩 ⁴黄柳青²

作者信息

1. 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司,宁夏半导体级硅晶圆材料工程技术研究中心,银川 750021
2. 厦门大学材料学院,厦门市电子陶瓷材料与元器件重点实验室,厦门 361005||厦门大学深圳研究院,深圳 518063
3. 厦门大学材料学院,厦门市电子陶瓷材料与元器件重点实验室,厦门 361005
4. 宁夏职业技术学院,银川 750021
折叠

摘要

关键词

ANSYS有限元分析/200mm半导体级单晶硅/直拉法/坩埚转速/流场/氧浓度

Key words

ANSYS finite element software/200 mm semiconductor-grade monocrystalline silicon/Czochralski method/crucible rotation rate/flow field/oxygen concentration

分类

化学化工

引用本文复制引用

王黎光,罗学涛,芮阳,盛旺,马吟霜,马成,陈炜南,邹啟鹏,杜朋轩,黄柳青..横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中流场与氧浓度的影响机制[J].人工晶体学报,2023,52(9):1641-1650,10.

基金项目

宁夏回族自治区重点研发计划(2022BFE02007) （2022BFE02007）

深圳市基础研究面上项目(JCYJ20210324121813037) （JCYJ20210324121813037）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-985X

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