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(AlxGa1-x)2O3结构、电子和光学性质的第一性原理研究

高妍 董海涛 张小可 冯文然

人工晶体学报2023,Vol.52Issue(9):1674-1680,1719,8.
人工晶体学报2023,Vol.52Issue(9):1674-1680,1719,8.

(AlxGa1-x)2O3结构、电子和光学性质的第一性原理研究

First-Principle Study on Structure,Electronic and Optical Properties of(AlxGa1-x)2 O3

高妍 1董海涛 1张小可 1冯文然1

作者信息

  • 1. 北京石油化工学院新材料与化工学院,北京 102617
  • 折叠

摘要

关键词

第一性原理/掺杂/Al掺杂β-Ga2O3/能带结构/电子结构/光学性质

Key words

first-principle/doping/Al-doped β-Ga2 O3/band structure/electronic structure/optical property

分类

数理科学

引用本文复制引用

高妍,董海涛,张小可,冯文然..(AlxGa1-x)2O3结构、电子和光学性质的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2023,52(9):1674-1680,1719,8.

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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