拓扑绝缘体中量子霍尔效应的研究进展OACSTPCD
Research progress of quantum Hall effect in topological insulator
三维拓扑绝缘体因其独特的物性备受研究人员关注,而拓扑表面态的输运是探索其新奇物性的重要手段.其中,拓扑表面态的量子霍尔效应则是拓扑绝缘体输运研究的一个重要内容.本文简要回顾了拓扑绝缘体中量子霍尔效应的实现与发展.比较了拓扑表面态量子霍尔效应与其他体系的差别,讨论了其材料体系的发展,并介绍了其中的标度律行为.之后详细回顾了实验上对拓扑表面态量子霍尔效应磁性近邻与栅压调控等方面的研究.最后,展望了拓扑绝缘体中量子霍尔态的研究前景,希望能促进拓扑绝缘体的应用.
张帅;宋凤麒
南京大学物理学院,固体微结构物理国家重点实验室,人工微结构科学与技术协同创新中心,南京 210093南京大学物理学院,固体微结构物理国家重点实验室,人工微结构科学与技术协同创新中心,南京 210093
量子霍尔效应拓扑绝缘体狄拉克费米子
quantum Hall effecttopological insulatorDirac fermion
《物理学报》 2023 (17)
237-247,11
国家重点基础研究发展计划(批准号:2022YFA1402404)和国家自然科学基金(批准号:92161201,T2221003,12025404,11904166)资助的课题.Project supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2022YFA1402404)and the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.92161201,T2221003,12025404,11904166).
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