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18kV/125A碳化硅IGBT器件研制及串联应用关键技术研究

邱宇峰 梁琳 杨晓磊 周平 唐新灵 魏晓光 杨霏 潘艳 吴军民 李学宝 赵志斌 顾然

中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(17)：6765-6775,后插21,12.
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中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(17)：6765-6775,后插21,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.222711

18kV/125A碳化硅IGBT器件研制及串联应用关键技术研究

Research on Key Technologies for Development and Series Application of 18kV/125A SiC IGBT Device

邱宇峰 1梁琳 2杨晓磊 3周平 3唐新灵 1魏晓光 1杨霏 1潘艳 1吴军民 1李学宝 4赵志斌 4顾然5

作者信息

  • 1. 先进输电技术国家重点实验室(智能电网研究院有限公司),北京市 昌平区 102209
  • 2. 强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学),湖北省 武汉市 430074
  • 3. 宽禁带半导体电力电子国家重点实验室(南京电子器件研究所),江苏省 南京市 210016
  • 4. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区 102206
  • 5. 中电普瑞电力工程有限公司,北京市 昌平区 102209
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/绝缘栅双极型晶体管器件/封装绝缘/动态特性/串联均压

Key words

silicon carbide(SiC)/insulated gate bipolar transistor(IGBT)device/packaging insulation/dynamic characteristics/voltage equalization in series

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

邱宇峰,梁琳,杨晓磊,周平,唐新灵,魏晓光,杨霏,潘艳,吴军民,李学宝,赵志斌,顾然..18kV/125A碳化硅IGBT器件研制及串联应用关键技术研究[J].中国电机工程学报,2023,43(17):6765-6775,后插21,12.

基金项目

国家重点研发计划项目(2018YFB0905700).National Key R&D Program of China(2018YFB00905700). （2018YFB0905700）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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