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碳化硅功率模块封装技术综述

王来利赵成张彤宇闫飞飞

电工技术学报2023，Vol.38Issue(18)：4947-4962,16.

电工技术学报2023，Vol.38Issue(18)：4947-4962,16.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.221214

碳化硅功率模块封装技术综述

Review of Packaging Technology for Silicon Carbide Power Modules

王来利 ¹赵成 ¹张彤宇 ¹闫飞飞¹

作者信息

1. 电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 西安 710049
折叠

摘要

关键词

碳化硅功率模块/寄生电感/散热能力/耐高温能力/绝缘能力/可靠性

Key words

Silicon carbide power modules/parasitic inductance/heat dissipation capability/high temperature resistance/insulation capability/reliability

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王来利,赵成,张彤宇,闫飞飞..碳化硅功率模块封装技术综述[J].电工技术学报,2023,38(18):4947-4962,16.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2019YFE0122800). （2019YFE0122800）

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-6753

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