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碳化硅功率模块封装技术综述OACSTPCD

Review of Packaging Technology for Silicon Carbide Power Modules

中文摘要

碳化硅作为宽禁带半导体的代表,理论上具有极其优异的性能,有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT,进而大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能.但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT 模块的封装技术,且面临着高频寄生参数大、散热能力不足、耐温低、绝缘强度不足等问题,限制了碳化硅半导体优良性能的发挥.为了解决上述问题,充分发挥碳化硅芯片潜在的巨大优势,近年来出现了许多针对碳化硅功率模块的新型封装技术和方案,重点关注碳化硅功率模块封…查看全部>>

王来利;赵成;张彤宇;闫飞飞

电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 西安 710049电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 西安 710049电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 西安 710049电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 西安 710049

电子信息工程

碳化硅功率模块寄生电感散热能力耐高温能力绝缘能力可靠性

Silicon carbide power modulesparasitic inductanceheat dissipation capabilityhigh temperature resistanceinsulation capabilityreliability

《电工技术学报》 2023 (18)

4947-4962,16

国家重点研发计划资助项目(2019YFE0122800).

10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.221214

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