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基于混合导电机制的新型TMOSFET三值逻辑反相器

马鑫芦宾董林鹏苗渊浩

物理学报2023，Vol.72Issue(18)：362-371,10.

物理学报2023，Vol.72Issue(18)：362-371,10.DOI:10.7498/aps.72.20230819

基于混合导电机制的新型TMOSFET三值逻辑反相器

A novel TMOSFET ternary inverter based on hybrid conduction mechanism

马鑫 ¹芦宾 ¹董林鹏 ²苗渊浩³

作者信息

1. 山西师范大学物理与信息工程学院,太原 030031
2. 西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安 710032
3. 中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029
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摘要

关键词

隧穿场效应晶体管/金属氧化物半导体场效应晶体管/三值逻辑反相器

Key words

tunneling field effect transistor/mental-oxide-semiconductor field-effect-transistor/ternary inverter

引用本文复制引用

马鑫,芦宾,董林鹏,苗渊浩..基于混合导电机制的新型TMOSFET三值逻辑反相器[J].物理学报,2023,72(18):362-371,10.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:62004119)和山西省应用基础研究计划(批准号:201901D211400)资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.62004119)and the Applied Basic Research Plan of Shanxi Province,China(Grant No.201901D211400). （批准号:62004119）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

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