中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(18)：7240-7253,后插25,15.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.220954
基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路
Snubber Circuit for SiC MOSFET Application Via PZT Piezoelectric Ceramic
摘要
关键词
碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管/锆钛酸铅压电陶瓷/缓冲吸收电路/定量设计模型/温度特性Key words
silicon carbide(SiC)metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)/lead zirconate titanate(PZT)piezoelectric ceramic/snubber circuit/quantitative design model/temperature characteristic分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
韩绪冬,孙鹏,邹铭锐,王宇雷,牛富丽,曾正..基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路[J].中国电机工程学报,2023,43(18):7240-7253,后插25,15.基金项目
国家自然科学基金项目(52177169) （52177169）
重庆市基础研究与前沿探索项目(cstc2022ycjh-bgzxm0155) （cstc2022ycjh-bgzxm0155）
重庆市研究生科研创新项目(CYS22023).The National Natural Science Foundation of China(52177169) （CYS22023）
Chongqing Research Program of Basic Research and Frontier Technology(cstc2022ycjh-bgzxm0155) （cstc2022ycjh-bgzxm0155）
Graduate Scientific Research and Innovation Foundation of Chongqing(CYS22023). （CYS22023）
