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SnP_(2)S_(6)半导体层数依赖的压电效应

乔玲 郭宇 周思

四川大学学报:自然科学版2023,Vol.60Issue(5):P.149-156,8.
四川大学学报:自然科学版2023,Vol.60Issue(5):P.149-156,8.DOI:10.19907/j.0490-6756.2023.054001

SnP_(2)S_(6)半导体层数依赖的压电效应

乔玲 1郭宇 1周思1

作者信息

  • 1. 大连理工大学物理学院三束材料改性教育部重点实验室,大连116024
  • 折叠

摘要

关键词

二维材料/SnP2S6半导体/压电性质/电子结构/层数

分类

数理科学

引用本文复制引用

乔玲,郭宇,周思..SnP_(2)S_(6)半导体层数依赖的压电效应[J].四川大学学报:自然科学版,2023,60(5):P.149-156,8.

基金项目

国家自然科学基金(12004065,12222403,11974068) (12004065,12222403,11974068)

中央高校基本科研业务费(DUT22ZD103,DUT22RC(3)009,DUT20LAB110) (DUT22ZD103,DUT22RC(3)

辽宁省博士启动基金(2022-BS-081)。 (2022-BS-081)

四川大学学报:自然科学版

OA北大核心CSCDCSTPCD

0490-6756

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