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横磁作用下直流真空开断中触头侧部燃弧空间的影响规律研究

马慧 刘志远 耿英三 陈金龙 张元兵 于琛

真空电子技术Issue(5):P.19-24,6.
真空电子技术Issue(5):P.19-24,6.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn,2023.05.03

横磁作用下直流真空开断中触头侧部燃弧空间的影响规律研究

马慧 1刘志远 1耿英三 1陈金龙 1张元兵 1于琛1

作者信息

  • 1. 西安交通大学,陕西西安710049
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摘要

关键词

横向磁场/真空灭弧室/真空电弧/低压直流开断

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马慧,刘志远,耿英三,陈金龙,张元兵,于琛..横磁作用下直流真空开断中触头侧部燃弧空间的影响规律研究[J].真空电子技术,2023,(5):P.19-24,6.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2022YFB2403700)。 (2022YFB2403700)

真空电子技术

1002-8935

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