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张应力调制SOI FinFET器件及其性能

王一杰 张静 林鸿霄 李梦达 徐步青 RADAMSON H H 闫江

现代应用物理2023，Vol.14Issue(3)：P.249-256,8.
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现代应用物理2023，Vol.14Issue(3)：P.249-256,8.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2023.031201

张应力调制SOI FinFET器件及其性能

王一杰 1张静 2林鸿霄 3李梦达 1徐步青 3RADAMSON H H 3闫江2

作者信息

  • 1. 北方工业大学信息学院,北京100144 中国科学院微电子研究所,北京100029
  • 2. 北方工业大学信息学院,北京100144
  • 3. 中国科学院微电子研究所,北京100029
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摘要

关键词

绝缘体上硅/鳍式场效应晶体管/电学特性/应变/张应力

分类

数理科学

引用本文复制引用

王一杰,张静,林鸿霄,李梦达,徐步青,RADAMSON H H,闫江..张应力调制SOI FinFET器件及其性能[J].现代应用物理,2023,14(3):P.249-256,8.

基金项目

北京市教委基金委联合基金资助项目(KZ202210009014)。 （KZ202210009014）

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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