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新型二阶磁控忆阻器简化模型的设计与验证

肖力 熊炳军 肖宪伟 杨健 贺娇娇 汪洋 金湘亮

太赫兹科学与电子信息学报2023,Vol.21Issue(10):1271-1277,7.
太赫兹科学与电子信息学报2023,Vol.21Issue(10):1271-1277,7.DOI:10.11805/TKYDA2021259

新型二阶磁控忆阻器简化模型的设计与验证

Design and verification of simplified model of new second-order magnetron memristor

肖力 1熊炳军 1肖宪伟 1杨健 1贺娇娇 1汪洋 1金湘亮1

作者信息

  • 1. 湖南师范大学 物理与电子科学学院,湖南 长沙 410081
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摘要

关键词

低功耗差分对/新型二阶磁控忆阻器简化模型/磁滞回线

Key words

low power differential pair/simplified model of new second-order magnetron control memristor/hysteresis loop

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

肖力,熊炳军,肖宪伟,杨健,贺娇娇,汪洋,金湘亮..新型二阶磁控忆阻器简化模型的设计与验证[J].太赫兹科学与电子信息学报,2023,21(10):1271-1277,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(61827812) (61827812)

湖南省科技厅湖湘高层次人才聚集资助项目(2019RS1037) (2019RS1037)

湖南省科学技术厅创新计划资助项目(2020GK2018 ()

2019GK4016 ()

2020RC1003) ()

太赫兹科学与电子信息学报

OACSTPCD

2095-4980

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