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宽禁带半导体Ga2O3基日盲紫外探测器的研究进展

沈乐昀张涛刘云泽吴慧珊王凤志潘新花叶志镇

材料工程2023，Vol.51Issue(10)：13-26,14.

材料工程2023，Vol.51Issue(10)：13-26,14.DOI:10.11868/j.issn.1001-4381.2021.001100

Research progress in solar-blind UV detectors based on wide-band semiconductor Ga2O3

沈乐昀 ¹张涛 ¹刘云泽 ¹吴慧珊 ¹王凤志 ²潘新花 ²叶志镇²

作者信息

1. 浙江大学材料科学与工程学院硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州 310058
2. 浙江大学材料科学与工程学院硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州 310058||浙江大学温州研究院温州市光电及纳米新材料重点实验室,浙江温州 325006
折叠

氧化镓/宽禁带氧化物/日盲紫外/光电探测器

Ga2O3/wide band gap oxide semiconductor/solar-blind UV/photo detector

化学化工

沈乐昀,张涛,刘云泽,吴慧珊,王凤志,潘新花,叶志镇..宽禁带半导体Ga2O3基日盲紫外探测器的研究进展[J].材料工程,2023,51(10):13-26,14.

国家自然科学基金项目(51972283,91833301) （51972283,91833301）

浙江省重点研究计划(2021C01030) （2021C01030）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-4381

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